Продукты High Temperature Furnaces MPCVD Система установки с цилиндрическим резонатором MPCVD для выращивания алмазов в лаборатории
Система установки с цилиндрическим резонатором MPCVD для выращивания алмазов в лаборатории

MPCVD

Система установки с цилиндрическим резонатором MPCVD для выращивания алмазов в лаборатории

Артикул : KTWB315

Цена может варьироваться в зависимости от спецификации и настройки


Выходная мощность микроволн
1~10 кВт с плавной регулировкой
Область выращивания субстрата
3 дюйма
Максимальная загрузка партии
45 бриллиантов
ISO & CE icon

Доставка:

Свяжитесь с нами чтобы получить подробности о доставке. Наслаждайтесь Гарантия своевременной отправки.

Цена

Опираясь на исключительные научно-исследовательские разработки и собственное производство, компания KINTEK обеспечивает различные лаборатории передовыми высокотемпературными печными решениями, включая наши передовые системы MPCVD. Наша линейка продукции, включающая муфельные, трубчатые, ротационные печи, вакуумные и атмосферные печи, а также различные системы CVD/PECVD/MPCVD, дополняется широкими возможностями по индивидуальной настройке для точного удовлетворения ваших уникальных экспериментальных требований.

Системы MPCVD от KINTEK: Выращивание высококачественных алмазных пленок с высокой точностью

Система MPCVD от KinTek

Наши системы микроволнового плазмохимического осаждения из паровой фазы (MPCVD) разработаны для лабораторий и промышленных предприятий, стремящихся выращивать алмазные пленки высшего качества. Используя углеродсодержащий газ и микроволновую плазму, технология MPCVD от KINTEK предлагает надежный и эффективный метод синтеза алмазов.

Почему стоит выбрать MPCVD-систему KINTEK?

Благодаря многолетнему опыту работы в отрасли и обширной клиентской базе, оборудование MPCVD компании KINTEK пользуется доверием благодаря своей производительности и надежности. Наши системы демонстрируют:

  • Исключительную стабильность и надежность: Доказано более чем 40 000 часами стабильной работы.
  • Повторяемость и экономичность: Неизменно высокое качество результатов.
  • Высокая производительность: Область выращивания субстрата 3 дюйма, максимальная загрузка до 45 бриллиантов.
  • Энергоэффективность: 1-10 кВт регулируемой выходной мощности микроволн для снижения потребления электроэнергии.
  • Экспертная поддержка: Опираясь на богатый опыт исследовательской группы, предлагает передовые рецепты выращивания алмазов.
  • Удобно для новичков: Эксклюзивная программа технической поддержки для команд с нулевым опытом выращивания алмазов.

Используя накопленные нами передовые технологии, мы провели несколько раундов модернизации и усовершенствования нашей системы MPCVD, что привело к значительному повышению эффективности и снижению стоимости оборудования. В результате наше оборудование MPCVD находится в авангарде технологических достижений и предлагается по конкурентоспособной цене. Готовы расширить свои возможности по выращиванию алмазов? Проконсультируйтесь с нашими специалистами уже сегодня!

Моделирование MPCVD-технологии KinTek
Моделирование MPCVD в KinTek

Визуальная демонстрация: Результаты работы с KINTEK MPCVD

Установки KINTEK MPCVD
Алмазные машины KINTEK MPCVD
Новая модель алмазной установки KINTEK MPCVD
Новая модель алмазной установки KINTEK MPCVD
Новая модель алмазной установки KINTEK MPCVD
Новая модель алмазной установки KINTEK MPCVD
Необработанные алмазы, выращенные на установке KINTEK MPCVD
Необработанные алмазы, выращенные на установке KINTEK MPCVD
В установке KinTek MPCVD растут алмазы
В установке KinTek MPCVD растут алмазы
В установке KinTek MPCVD алмазы растут
В установке KinTek MPCVD алмазы растут
В установке KinTek MPCVD растут алмазы
В установке KinTek MPCVD растут алмазы
В установке KinTek MPCVD растут алмазы
В установке KinTek MPCVD растут алмазы
В установке KinTek MPCVD растут алмазы
В установке KinTek MPCVD растут алмазы
Необработанный алмаз, выращенный на установке MPCVD компании KINTEK
Необработанный алмаз, выращенный на установке MPCVD компании KINTEK
Необработанный алмаз, выращенный на установке MPCVD компании KINTEK
Необработанный алмаз, выращенный на установке MPCVD компании KINTEK
Необработанный алмаз, выращенный на установке MPCVD KINTEK
Необработанный алмаз, выращенный на установке MPCVD KINTEK
Алмазы, выращенные методом MPCVD, после полировки
Алмазы, выращенные методом MPCVD, после полировки
Поликристаллическая технология KinTek MPCVD
Поликристаллические алмазы, выращенные на установке KinTek MPCVD

Ключевые характеристики и компоненты системы

Наши системы MPCVD разработаны с использованием прецизионных компонентов для обеспечения оптимальной производительности в процессе осаждения. Система обычно состоит из вакуумной камеры, микроволнового генератора (часто магнетрон или клистрон, работающий на частоте около 2,45 ГГц, соединенный через кварцевое окно), точной системы подачи газа с контроллерами массового расхода (MFC) и механизмов контроля температуры.

Микроволновая система

Микроволновая система

Реакционная камера

Реакционная камера

Система подачи газа

Система подачи газа

Вакуумная система и система датчиков

Вакуумная система и система датчиков

Технические характеристики

Микроволновая система
  • Частота микроволн 2450±15MHZ,
  • Выходная мощность 1~10 KW плавно регулируемая
  • Стабильность выходной мощности микроволн:
  • Микроволновая утечка ≤2MW/см2
  • Интерфейс выходного волновода: WR340, 430 со стандартным фланцем FD-340, 430
  • Поток охлаждающей воды: 6-12L/min
  • Коэффициент стоячей волны системы: VSWR ≤ 1,5
  • Микроволновый ручной 3-контактный регулятор, полость возбуждения, мощная нагрузка
  • Входной источник питания: 380 В переменного тока/50 Гц ± 10%, трехфазный
Реакционная камера
  • Уровень утечки вакуума
  • Предельное давление менее 0,7 Па (стандартная установка с вакуумметром Пирани)
  • Повышение давления в камере не должно превышать 50 Па после 12 часов поддержания давления
  • Режим работы реакционной камеры: Режим TM021 или TM023
  • Тип резонатора: Цилиндрическая резонансная полость, с максимальной несущей способностью 10 кВт, изготовленная из нержавеющей стали 304, с водяным охлаждением внутреннего слоя, и методом уплотнения кварцевой пластины высокой чистоты.
  • Режим забора воздуха: Верхний кольцевой равномерный воздухозаборник
  • Вакуумное уплотнение: Нижнее соединение основной камеры и инжекционная дверь уплотнены резиновыми кольцами, вакуумный насос и сильфон уплотнены KF, кварцевая пластина уплотнена металлическим C-кольцом, а остальные уплотнены CF
  • Окно для наблюдения и измерения температуры: 8 смотровых отверстий
  • Порт для загрузки образца в передней части камеры
  • Стабильное разряжение в диапазоне давлений 0,7KPa~30KPa (давление питания должно быть согласовано)
Держатель образца
  • Диаметр столика для образцов≥72 мм, эффективная площадь использования≥66 мм
  • Платформа базовой плиты с водяным охлаждением сэндвич-структуры
  • Держатель образца может быть поднят и опущен равномерно электрически в полости
Система подачи газа
  • Весь металл сварки воздушный диск
  • Сварка или VCR соединения должны быть использованы для всех внутренних газовых контуров оборудования.
  • 5-канальный расходомер MFC, H2/CH4/O2/N/Ar. H2: 1000 куб. м; CH4: 100 куб. м; O2: 2 куб. м; N2: 2 куб. м; Ar: 10 куб.м.
  • Рабочее давление 0,05-0,3 МПа, точность ±2%
  • Независимое пневматическое управление клапаном для каждого канала расходомера
Система охлаждения
  • 3 линии водяного охлаждения, мониторинг температуры и потока в реальном времени.
  • Поток охлаждающей воды в системе составляет ≤ 50 л/мин.
  • Давление охлаждающей воды
Датчик температуры
  • Внешний инфракрасный термометр имеет диапазон температур 300-1400 ℃
  • Точность контроля температуры
Система управления
  • Siemens smart 200 PLC и сенсорный экран управления приняты.
  • Система имеет множество программ, которые могут реализовать автоматический баланс температуры роста, точный контроль давления воздуха роста, автоматическое повышение температуры, автоматическое понижение температуры и другие функции.
  • Стабильная работа оборудования и комплексная защита оборудования достигаются за счет контроля расхода воды, температуры, давления и других параметров, а надежность и безопасность работы гарантируется функциональной блокировкой.
Дополнительная функция
  • Система мониторинга центра
  • Мощность базирования подложки

Преимущество KINTEK MPCVD: Превосходный синтез алмазов

Технология MPCVD компании KINTEK предлагает значительные преимущества для синтеза алмазов по сравнению с другими методами, такими как HFCVD (Hot Filament CVD) и DC-PJ CVD (Direct Current Plasma Jet CVD):

  • Алмазы высокой чистоты: MPCVD позволяет избежать загрязнения алмазов такими элементами, как горячие проволоки (как в HFCVD). В нашей системе плазменный шар не соприкасается со стенками полости, что обеспечивает процесс роста без примесей и приводит к получению алмазов более высокой чистоты по сравнению с алмазами, полученными методом HPHT (High-Pressure High-Temperature).
  • Универсальное использование газов: Позволяет использовать несколько газов (например, CH4, H2, Ar, O2, N2) для удовлетворения различных промышленных потребностей и настройки свойств алмазов.
  • Стабильное и точное управление: Обеспечивает плавную, непрерывную регулировку мощности микроволн и стабильный контроль температуры реакции. Это позволяет избежать таких проблем, как выпадение кристаллических зерен с подложки из-за дуги и провалов пламени, которые иногда наблюдаются в DC-PJ CVD. Температура подложки точно контролируется положением плазмы и измеряется термопарой.
  • Стабильная плазма большой площади: Метод MPCVD генерирует большую площадь стабильной разрядной плазмы, что делает его наиболее перспективным методом синтеза алмазов для промышленного применения и увеличения масштабов производства.
  • Энергоэффективность и экономичность для больших алмазов: Производственный процесс MPCVD обычно потребляет меньше энергии, чем HPHT, и позволяет производить более крупные и высококачественные алмазы по потенциально более низкой цене.

Ищете надежное и передовое решение для синтеза алмазов, обеспечивающее чистоту и производительность? Запросите цену на нашу MPCVD-систему!

Принцип работы: как KINTEK MPCVD выращивает алмазы

Установка KINTEK MPCVD тщательно контролирует среду роста. Процесс начинается с управления потоком каждого газового тракта (реакционные газы, такие как CH4, H2, Ar, O2, N2 и т.д.) и давлением в полости, вводя эти газы в полость при определенных, стабилизированных условиях. Как только поток воздуха стабилизируется, твердотельный микроволновый генератор мощностью 6 КВт (или регулируемый 1-10 КВт) генерирует микроволны, которые затем вводятся в полость через волновод.

Под воздействием СВЧ-поля реакционный газ переходит в плазменное состояние, образуя плазменный шар, который парит над алмазной подложкой. Высокая температура плазмы нагревает подложку до температуры, необходимой для роста алмаза. Избыточное тепло, образующееся в полости, эффективно рассеивается водяным охладителем.

Для обеспечения оптимальных условий роста в процессе выращивания монокристаллов алмаза методом MPCVD точно регулируются такие факторы, как мощность микроволн, состав газового источника и давление в полости. Бесконтактный характер контакта плазменного шара со стенками полости очень важен, так как он предотвращает загрязнение процесса роста алмаза примесями, тем самым повышая конечное качество алмаза.

Области применения алмазов, выращенных с помощью KINTEK MPCVD

Уникальные свойства алмаза, включая его чрезвычайную твердость, жесткость, высокую теплопроводность, низкое тепловое расширение, радиационную твердость и химическую инертность, делают его очень ценным материалом. В то время как природные и HPHT-алмазы сталкивались с ограничениями, связанными со стоимостью, размером и контролем примесей, технология MPCVD от KINTEK открывает двери для более широкого применения:

  • Бриллианты качества драгоценных камней: MPCVD является основным оборудованием, используемым для выращивания драгоценных камней, предлагая перспективный путь к производству недорогих, высококачественных крупных алмазов для растущего ювелирного рынка.
  • Полупроводниковая промышленность: Выращивание алмазных пленок может быть как монокристаллическим, так и поликристаллическим. Она широко используется для изготовления крупногабаритных алмазных подложек в полупроводниковой промышленности.
  • Режущие и сверлильные инструменты: Исключительная твердость MPCVD-алмазов делает их идеальными для производства алмазных режущих и сверлильных инструментов.
  • Оптика и передовые материалы: Для приложений, использующих уникальные оптические и термические свойства алмаза.

По сравнению с методом HPHT для выращивания алмазов в лабораторных условиях, метод микроволнового CVD, применяемый компанией KINTEK, выгодно отличается от других методов выращивания алмазов большого размера при более низкой стоимости. Это делает его идеальным решением для применения в полупроводниковых алмазах, выращивания оптических алмазов и удовлетворения потребностей рынка крупных ювелирных алмазов.

Партнерство с KINTEK для индивидуальных высокотемпературных решений

Помимо специализированных систем MPCVD, компания KINTEK предлагает разнообразную линейку продукции, включая муфельные, трубчатые, ротационные, вакуумные и атмосферные печи, а также различные системы CVD/PECVD. Наша основная сила заключается в исключительных исследованиях и разработках, специализированном собственном производстве и глубоких возможностях настройки, что позволяет нам создавать решения в точном соответствии с вашими конкретными экспериментальными или производственными требованиями.

У вас есть уникальные требования или сложный проект? Мы специализируемся на разработке индивидуальных решений. Свяжитесь с KINTEK сегодня, чтобы обсудить ваши потребности и узнать, как наша передовая технология печей может принести пользу вашей работе!

FAQ

В чем заключается принцип работы установки CVD?

Принцип химического осаждения из паровой фазы (CVD) заключается во введении паров газообразных или жидких реактивов, содержащих элементы пленки и другие необходимые газы, в реакционную камеру. Под воздействием энергии в виде повышенной температуры, плазменного воздействия, светового излучения или других средств на поверхности подложки происходят химические реакции, в результате которых образуются новые твердые вещества, которые осаждаются в виде тонких пленок. Принцип работы CVD-печи заключается во введении газов-прекурсоров в камеру печи, где под воздействием высоких температур эти газы вступают в реакцию или разлагаются у поверхности подложки. Нужный материал осаждается на подложке в виде твердой пленки, а побочные продукты и неиспользованные газы удаляются через вытяжную или вакуумную систему.

В чем заключается принцип работы установки MPCVD?

Установка MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) работает за счет использования микроволнового генератора для получения плазмы путем ионизации газовой смеси. Эта плазма помещается в реакционную камеру под низким давлением, где подложка удерживается держателем подложки. Основные компоненты включают в себя микроволновый генератор, плазменную камеру, систему подачи газа, держатель подложки и вакуумную систему.

Для чего используется установка PECVD?

Установка PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) широко используется при обработке кремния и других подобных материалов, в нанотехнологиях, производстве солнечных батарей и электронике. Она имеет решающее значение для осаждения тонких пленок в солнечных батареях и создания высококачественных компонентов для электронных устройств. Области применения включают изготовление электронных устройств (изоляция проводящих слоев, конденсаторов, пассивация поверхности), полупроводниковых приборов, печатаемой электроники и защиты медицинских приборов.

В чем преимущества использования CVD-установки?

CVD обеспечивает высокую чистоту, однородность и конформность, что делает его пригодным для нанесения покрытий сложной геометрии. Он используется в таких отраслях, как полупроводниковая, аэрокосмическая и биомедицинская. В отличие от PVD, CVD не ограничивается нанесением в прямой видимости, а покрытие сцепляется с поверхностью в процессе реакции, создавая превосходную адгезию.

В чем преимущества использования MPCVD-установки?

Установки MPCVD обладают рядом преимуществ: они исключают загрязнение от горячих проводов (неполярный разряд), позволяют использовать несколько газов, обеспечивают стабильный контроль температуры реакции, позволяют получать плазму стабильного разряда большой площади, а также обеспечивают точный контроль толщины пленки, чистоты и качества кристаллов. Кроме того, они позволяют получать алмазные пленки большой площади, обеспечивают стабильные условия, поддерживают постоянное качество образцов и являются экономически эффективными.

Каковы основные типы установок PECVD?

Установки PECVD бывают различных типов, включая установки с наклонной вращающейся плазмой для химического осаждения в трубчатых печах PECVD, трубчатые печи CVD с разделенной камерой и вакуумными станциями, системы RF PECVD и установки MPCVD с цилиндрическим резонатором. Каждый тип предназначен для решения конкретных задач, таких как исследование полупроводников, осаждение тонких пленок и выращивание алмазов в лабораторных условиях.

Для каких целей используется CVD-установка?

CVD используется в различных областях, включая производство полупроводниковых приборов (например, изолирующих слоев из нитрида кремния), оптических покрытий, защитных покрытий, а также передовых материалов, таких как графен и углеродные нанотрубки, которые обладают уникальными электрическими, тепловыми и механическими свойствами. Он также используется для нанесения конформных пленок и модификации поверхностей подложек, что невозможно осуществить традиционными методами. Области применения включают атомно-слоевое осаждение, интегральные схемы, фотоэлектрические устройства, износостойкие покрытия, полимерные покрытия со специальными свойствами, металлоорганические каркасы для газочувствительных устройств и мембранные покрытия для очистки воды.

Каковы основные области применения установок MPCVD?

MPCVD-установки в основном используются для синтеза алмазов высокой чистоты, выращенных в лабораторных условиях, включая алмазные пленки и другие современные материалы. Их применение распространяется на исследования полупроводников, оптику и MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) благодаря способности получать высококачественные однородные пленки с точным контролем.

Как работает установка PECVD?

Установка PECVD работает за счет использования плазмы для усиления процесса химического осаждения из паровой фазы. Скорость осаждения и свойства пленки (например, толщина, твердость, коэффициент преломления) контролируются путем настройки таких параметров, как скорость потока газа, рабочая температура и условия плазмы. Плазма позволяет точно регулировать такие свойства материала, как плотность, чистота и шероховатость, что позволяет создавать высококачественные тонкие пленки при более низких температурах подложки.

Каковы основные характеристики установки CVD?

Основные характеристики CVD-печи включают в себя высокую температуру (обычно от 200°C до более 1500°C), точный контроль расхода газа, контроль атмосферы (вакуум, атмосферное давление или среда низкого давления), равномерный нагрев для равномерного осаждения тонких пленок, а также эффективную систему вытяжки для удаления побочных продуктов и непрореагировавших газов. Основные характеристики процесса нанесения покрытий CVD включают нанесение при повышенных температурах для облегчения реакции, как правило, в вакууме. Перед нанесением покрытия с поверхности детали должны быть удалены загрязняющие вещества.

Каковы основные компоненты установки MPCVD?

Основные компоненты MPCVD-установки включают микроволновой генератор (для получения плазмы), реакционную камеру (для размещения подложки и газовой смеси под низким давлением), держатель подложки (для удержания подложки во время осаждения), систему подачи газа (для введения и контроля газовой смеси) и вакуумную систему (для поддержания необходимой среды низкого давления).

Каковы основные характеристики установки PECVD?

Основные характеристики установки PECVD включают универсальную базовую консоль с электронными подсистемами, технологическую камеру PECVD с портом откачки, нагреваемые верхний и нижний электроды, программное обеспечение для изменения параметров, а также газовую капсулу с газовыми линиями, контролируемыми по массовому расходу. Система обычно включает камеру, вакуумный насос (насосы) и систему распределения газа, конфигурация которой зависит от источника питания, типа газа и датчиков давления.

Какие типы CVD-установок существуют?

Существует несколько типов CVD-установок, включая установки с цилиндрическим резонатором MPCVD для выращивания алмазов в лабораторных условиях, универсальные CVD-печи для химического осаждения из паровой фазы, трубчатые печи Slide PECVD с газификаторами жидкости, вакуумные печи горячего прессования, наклонные роторные трубчатые печи для химического осаждения с расширенной плазмой (PECVD), трубчатые печи CVD с разделенной камерой и вакуумными станциями и системы RF PECVD для химического осаждения из паровой плазмы с расширенной радиочастотой. Каждый тип предназначен для решения конкретных задач и обладает уникальными характеристиками.

Как MPCVD-установка повышает энергоэффективность?

Установка MPCVD повышает энергоэффективность благодаря безэлектродному процессу, который снижает загрязнение и потери энергии. Микроволновая плазма генерируется с высокой эффективностью, а модульная и масштабируемая конструкция системы позволяет оптимизировать использование энергии в различных промышленных приложениях.

Каковы преимущества использования установки PECVD?

Установки PECVD обладают рядом преимуществ, включая высокую скорость осаждения (например, в 160 раз быстрее для нитрида кремния по сравнению с CVD), возможность создавать пленки с различными свойствами путем изменения параметров плазмы и состава газа, высококачественные и однородные по толщине пленки, хорошую адгезию, снижение риска растрескивания и пригодность для сложных поверхностей. Они также обеспечивают высокую устойчивость к растворителям и коррозии, химическую и термическую стабильность.

Почему MPCVD предпочтительнее для выращивания алмазов?

MPCVD предпочтительнее для выращивания алмазов, поскольку обеспечивает высокую плотность заряженных частиц и реактивных видов, позволяет осаждать алмазные пленки большой площади при более низком давлении и обеспечивает лучшую однородность выращенных пленок. Эти особенности приводят к получению высококачественных алмазов высокой чистоты с точным контролем их свойств.

Какие материалы можно осаждать с помощью установки PECVD?

На установках PECVD можно осаждать различные материалы, включая нитрид кремния (SiN) и карбид кремния (SiC), которые особенно полезны в полупроводниковых и высокотемпературных МЭМС-приложениях. Эти машины универсальны и могут использоваться для создания тонких пленок с индивидуальными свойствами для конкретных промышленных и исследовательских нужд.

Почему PECVD предпочтительнее других методов осаждения?

PECVD предпочтительнее других методов осаждения, поскольку позволяет осаждать при более низких температурах подложки, обеспечивает хорошее покрытие ступеней и позволяет осаждать пленки с высокой равномерностью. Кроме того, этот метод обеспечивает превосходный контроль над такими свойствами материала, как коэффициент преломления, напряжение и твердость, что делает его идеальным для приложений, требующих точных характеристик тонких пленок.
Посмотреть больше часто задаваемых вопросов по этому продукту

4.9

out of

5

This machine is a game-changer! The diamond growth speed is phenomenal, and the quality is unmatched.

Elara Voss

4.8

out of

5

Incredible value for money. The precision and durability of this system are top-notch.

Rohan Mehta

4.7

out of

5

Fast delivery and easy setup. The technological advancement in this machine is mind-blowing.

Sienna Khalid

4.9

out of

5

The consistency in diamond quality is impressive. Worth every penny!

Lucian Berg

4.8

out of

5

Highly efficient and reliable. Perfect for lab diamond growth with minimal maintenance.

Ananya Rao

4.7

out of

5

The cylindrical resonator design is brilliant. Delivers flawless diamonds every time.

Dante Moretti

4.9

out of

5

Exceptional performance! The machine’s durability and advanced tech make it a must-have.

Zara Al-Farsi

4.8

out of

5

Superb investment. The speed and quality of diamond growth exceed expectations.

Kai Zhang

4.7

out of

5

Love the precision! This machine has revolutionized our lab’s diamond production.

Freya Olsen

4.9

out of

5

Outstanding build quality. The diamonds produced are of impeccable clarity and size.

Rafael Costa

4.8

out of

5

Fast, efficient, and reliable. The best MPCVD system we’ve used so far.

Mei Ling

4.7

out of

5

The technology behind this machine is cutting-edge. Highly recommend for any lab.

Elias Van Dijk

4.9

out of

5

Perfect for high-volume diamond growth. The quality is consistently excellent.

Aisha Nkosi

4.8

out of

5

A stellar purchase! The machine’s performance and durability are unmatched.

Mateo Silva

4.7

out of

5

Incredibly advanced and user-friendly. Delivers perfect diamonds with ease.

Yuki Tanaka

Продукты

Система установки с цилиндрическим резонатором MPCVD для выращивания алмазов в лаборатории

PDF Формат Каталог
Скачать

Категория

Mpcvd

PDF Формат Каталог
Скачать

ЗАПРОС ЦИТАТЫ

Наша профессиональная команда ответит вам в течение одного рабочего дня. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам!

Связанные товары

Реактор с колокольным резонатором для лабораторий и выращивания алмазов

Реактор с колокольным резонатором для лабораторий и выращивания алмазов

KINTEK MPCVD Systems: Прецизионные установки для выращивания алмазов высокой чистоты в лабораторных условиях. Надежные, эффективные и настраиваемые для исследований и промышленности.

915MHz MPCVD алмаз машина микроволновая плазмы химического осаждения пара система реактор

915MHz MPCVD алмаз машина микроволновая плазмы химического осаждения пара система реактор

Алмазная MPCVD-машина KINTEK: Высококачественный синтез алмазов с помощью передовой MPCVD-технологии. Ускоренный рост, превосходная чистота, настраиваемые опции. Увеличьте производство прямо сейчас!

Радиочастотная система PECVD Радиочастотное плазменное химическое осаждение из паровой фазы

Радиочастотная система PECVD Радиочастотное плазменное химическое осаждение из паровой фазы

Система KINTEK RF PECVD: Прецизионное осаждение тонких пленок для полупроводников, оптики и МЭМС. Автоматизированный низкотемпературный процесс с превосходным качеством пленки. Возможны индивидуальные решения.

Слайд PECVD трубчатая печь с жидким газификатором PECVD машина

Слайд PECVD трубчатая печь с жидким газификатором PECVD машина

Трубчатая печь KINTEK Slide PECVD: прецизионное осаждение тонких пленок с помощью радиочастотной плазмы, быстрая термоциклическая обработка и настраиваемый контроль газа. Идеально подходит для полупроводников и солнечных батарей.

Ультра вакуумный электрод проходной разъем фланец провод питания для высокоточных приложений

Ультра вакуумный электрод проходной разъем фланец провод питания для высокоточных приложений

Ультра-вакуумные вводы электродов для надежных соединений сверхвысокого напряжения. Высокогерметичные, настраиваемые варианты фланцев, идеальные для полупроводниковых и космических применений.

Вакуумный горячий пресс печь машина для ламинирования и отопления

Вакуумный горячий пресс печь машина для ламинирования и отопления

Вакуумный ламинационный пресс KINTEK: Прецизионное склеивание для пластин, тонких пленок и LCP. Максимальная температура 500°C, давление 20 тонн, сертификат CE. Возможны индивидуальные решения.

Наклонная вращающаяся машина печи трубки PECVD плазмы усиленного химического осаждения

Наклонная вращающаяся машина печи трубки PECVD плазмы усиленного химического осаждения

Установка KINTEK для нанесения покрытий методом PECVD обеспечивает прецизионные тонкие пленки при низких температурах для светодиодов, солнечных батарей и МЭМС. Настраиваемые, высокопроизводительные решения.

Наклонная вращающаяся машина печи трубы PECVD плазмы усиленного химического осаждения

Наклонная вращающаяся машина печи трубы PECVD плазмы усиленного химического осаждения

Передовая трубчатая печь PECVD для точного осаждения тонких пленок. Равномерный нагрев, источник ВЧ-плазмы, настраиваемый контроль газа. Идеально подходит для исследований полупроводников.

Изготовленная на заказ универсальная печь трубки CVD химическое осаждение паров CVD оборудование машина

Изготовленная на заказ универсальная печь трубки CVD химическое осаждение паров CVD оборудование машина

Трубчатая CVD-печь KINTEK обеспечивает точный контроль температуры до 1600°C, идеально подходящий для осаждения тонких пленок. Настраивается для исследовательских и промышленных нужд.

Машина печи трубки CVD с несколькими зонами нагрева для оборудования химического осаждения из паровой фазы

Машина печи трубки CVD с несколькими зонами нагрева для оборудования химического осаждения из паровой фазы

Многозональные трубчатые CVD-печи KINTEK обеспечивают точный контроль температуры для современного осаждения тонких пленок. Идеально подходят для исследований и производства, настраиваются под нужды вашей лаборатории.

Печь с разделенной камерой CVD трубки с вакуумной станцией CVD машины

Печь с разделенной камерой CVD трубки с вакуумной станцией CVD машины

Трубчатая печь CVD с разделенной камерой и вакуумной станцией - высокоточная лабораторная печь с температурой 1200°C для исследования современных материалов. Доступны индивидуальные решения.

Вакуумная печь горячего прессования машина нагретая вакуумная печь трубки прессования

Вакуумная печь горячего прессования машина нагретая вакуумная печь трубки прессования

Откройте для себя передовую вакуумную печь горячего прессования KINTEK для точного высокотемпературного спекания, горячего прессования и склеивания материалов. Индивидуальные решения для лабораторий.

Искровое плазменное спекание SPS-печь

Искровое плазменное спекание SPS-печь

Откройте для себя передовую печь для искрового плазменного спекания (SPS) компании KINTEK для быстрой и точной обработки материалов. Настраиваемые решения для исследований и производства.

Печь с управляемой атмосферой с сетчатым поясом Печь с инертной азотной атмосферой

Печь с управляемой атмосферой с сетчатым поясом Печь с инертной азотной атмосферой

Печь с сетчатым поясом KINTEK: высокопроизводительная печь с контролируемой атмосферой для спекания, закалки и термообработки. Настраиваемая, энергоэффективная, точный контроль температуры. Получите предложение прямо сейчас!

Печь с контролируемой инертной азотной атмосферой 1200℃

Печь с контролируемой инертной азотной атмосферой 1200℃

Печь с контролируемой атмосферой KINTEK 1200℃: прецизионный нагрев с контролем газа для лабораторий. Идеально подходит для спекания, отжига и исследования материалов. Доступны настраиваемые размеры.

Печь с контролируемой инертной азотной атмосферой 1400℃

Печь с контролируемой инертной азотной атмосферой 1400℃

Печь с контролируемой атмосферой KT-14A для лабораторий и промышленности. Максимальная температура 1400°C, вакуумное уплотнение, контроль инертного газа. Возможны индивидуальные решения.

Печь с регулируемой инертной азотной атмосферой 1700℃

Печь с регулируемой инертной азотной атмосферой 1700℃

Печь с контролируемой атмосферой KT-17A: точный нагрев до 1700°C с контролем вакуума и газа. Идеально подходит для спекания, исследований и обработки материалов. Исследуйте прямо сейчас!

Печь с контролируемой инертной азотно-водородной атмосферой

Печь с контролируемой инертной азотно-водородной атмосферой

Откройте для себя водородную атмосферную печь KINTEK для точного спекания и отжига в контролируемых условиях. До 1600°C, функции безопасности, настраиваемые параметры.

9MPa воздушного давления вакуумной термообработки и спекания печь

9MPa воздушного давления вакуумной термообработки и спекания печь

Добейтесь превосходного уплотнения керамики с помощью передовой печи для спекания под давлением KINTEK. Высокое давление до 9 МПа, точный контроль 2200℃.